Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF620STRR

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF620

IRF620STRR Hakkında

IRF620STRR, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 5.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 800mOhm on-direnci ile karakterize edilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, DC-DC konvertörlerinde ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 14nC gate yükü ve 260pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 50W (Tc) güç harcaması kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok