Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF620SPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF620

IRF620SPBF Hakkında

IRF620SPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 5.2A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüş geriliminde 800mOhm maksimum on-direnci ve düşük 14nC gate yükü ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmek mümkündür. 3W (Ta) ile 50W (Tc) arasında değişen güç dağılım kapasitesi ve -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun özellikleri sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok