Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF620S

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF620S

IRF620S Hakkında

IRF620S, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 5.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerinde ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 800mΩ maksimum on-state direnci ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 14nC gate yükü ve düşük giriş kapasitansı (260pF) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Ürün aktif üretimden çıkarılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok