Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF620PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF620
IRF620PBF-BE3 Hakkında
IRF620PBF-BE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 200V dren-kaynak gerilimi ve 5.2A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. Düşük gate charge (14nC) ve 800mΩ RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor sürücüleri ve çevirici devrelerde kullanılır. TO-220AB paket yapısı yüksek ısı dağıtımına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok