Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF620PBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF620

IRF620PBF Hakkında

IRF620PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj kapasitesi ve 5.2A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürme voltajında 800mOhm on-state direnci ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç yönetimi ve DC/DC dönüştürücülerde tercih edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir ve 50W maksimum güç tüketimine dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok