Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF620B_FP001
MOSFET N-CH 200V 5A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF620B
IRF620B_FP001 Hakkında
IRF620B_FP001, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu komponent, 200V drain-source voltajında 5A sürekli drenaj akımı sağlamaya kapasitedir. 10V gate drive voltajında 800mOhm düşük on-direnci (Rds On) ile yüksek verimlilikte anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. ±30V gate-source voltaj toleransı ile geniş çalışma aralığına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Elektronik güç denetim sistemleri, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama kaynakları gibi yüksek gerilim endüstriyel uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not: Bu komponent üretimi sonlandırılmış (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok