Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF6201PBF

MOSFET N-CH 20V 27A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF6201

IRF6201PBF Hakkında

IRF6201PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 27A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç kayıplarında anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.45mΩ on-state direnci (RDS(on)) ile verimli güç yönetimi sağlar. Surface mount 8-SO paketlemesi içinde sunulan bileşen, motor kontrol, anahtarlı güç kaynakları (SMPS), batarya yönetim sistemleri ve diğer anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8555 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.45mOhm @ 27A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok