Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF620

MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF620

IRF620 Hakkında

IRF620, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ile 6A sürekli drain akımı sağlayabilir. TO-220-3 paket tipi ile Through Hole montajına uygundur. 70W maksimum güç tüketimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. RDS(On) değeri 800mOhm (10V, 3A) olup anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. -65°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate gerilimi ±20V'ye kadar dayanır. İnverter, DC-DC dönüştürücü, motor kontrolü ve güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup yerine yeni alternatiflerin kullanılması önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok