Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF614PBF

MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF614

IRF614PBF Hakkında

IRF614PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 250V drain-source gerilim ve 2.7A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate-source geriliminde 2Ω maksimum on-state direnci ve 36W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.6A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok