Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF614BFP001
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF614
IRF614BFP001 Hakkında
IRF614BFP001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sağlanan bu bileşen, düşük Rds(On) değeri (2Ohm @ 10V) sayesinde ısı kaybını minimize eder. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 40W güç tüketimine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok