Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF613

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF613

IRF613 Hakkında

IRF613, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 150V Drain-Source gerilimi ve 2.6A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtar (switching) elemanı olarak kullanılır. 2.4Ω maksimum kanal direnci (10V gate voltajında) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde monte edilen IRF613, motor kontrolü, AC-DC dönüştürücüler, inverter devreleri ve yüksek frekanslı güç kaynaklarında yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 43W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 135 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 1.6A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok