Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF612
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF612
IRF612 Hakkında
IRF612, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paket içerisinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve invertör tasarımlarında kullanılır. 2.4Ohm maksimum RDS(On) değeri düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme yeteneğine sahip olan IRF612, endüstriyel ve ticari uygulamalarda geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok