Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF610STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF610
IRF610STRRPBF Hakkında
IRF610STRRPBF, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 1.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynağı uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve gerilim regülatörlerde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate yükü (8.2nC) ve kompakt paket tasarımı, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren devrelerde tercih sebebidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok