Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF610STRR

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF610

IRF610STRR Hakkında

IRF610STRR, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya elverişlidir. Bileşen üretimi durdurulmuştur (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok