Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF610SPBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF610

IRF610SPBF Hakkında

IRF610SPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim (Vdss) ve 3.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paket tipi ile PCB üzerine yüzey montajı yapılmaya uygun tasarlanmıştır. 1.5Ohm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) nedeniyle endüstriyel ve otomotiv kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve motor sürücü tasarımlarında kullanılabilir. Maximum 36W ısıl yayılım kapasitesi ile thermal management özellikleri iyidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok