Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF610S
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF610
IRF610S Hakkında
IRF610S, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 3.3A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 1.5Ω maksimum on-direnci (10V gate voltajında, 2A dren akımında) ve 3W (Ta) güç dağıtımı kapasitesi ile anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve gerilim düzenleyicilerde kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket sayesinde kompakt tasarımlara uyum sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 8.2nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok