Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF610L
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF610L
IRF610L Hakkında
IRF610L, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (1.5Ω @ 2A, 10V) sayesinde güç kaybını azaltır. -55°C ile +150°C arasında çalışan IRF610L, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve endüstriyel denetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate gerilimi toleransı ile çeşitli sürücü devreleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok