Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF610A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF610A
IRF610A Hakkında
IRF610A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source gerilim kapasitesiyle, 3.3A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, anahtarlama ve güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. TO-220-3 paketi sayesinde kolay monte edilebilir ve soğutma için yeterli alan sağlar. Gate kapasitanı 210pF, eşik gerilimi 4V'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 38W güç tüketebilir. Endüstriyel, telekomünikasyon ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.65A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok