Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF6100PBF
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-FlipFet™
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF6100
IRF6100PBF Hakkında
IRF6100PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 5.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 65mΩ (4.5V, 5.1A) üzerinde düşük RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 4-FlipFet™ yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 2.2W güç tüketebilir. 21nC gate charge ve 1230pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1230 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-FlipFet™ |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-FlipFet™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok