Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF60SC241ARMA1

MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
IRF60SC241A

IRF60SC241ARMA1 Hakkında

IRF60SC241ARMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 360A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 1.3mΩ on-resistance değeri ile verimli güç dağıtımı sağlar. Endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve yüksek güç disipasyon kapasitesi ile zorlu ortamlarda güvenilir operasyon sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 360A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 388 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16000 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok