Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF60R217
MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF60R217
IRF60R217 Hakkında
IRF60R217, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 58A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9.9mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, dc-dc konvertörleri, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 83W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile çeşitli koşullarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok