Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF60DM206ATMA1
MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- DirectFET™ Isometric ME
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF60DM206ATMA1
IRF60DM206ATMA1 Hakkında
IRF60DM206ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. DirectFET™ Isometric ME paket formatında sunulan bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ve 130A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2.9mΩ @ 80A, 10V'de yüksek verimli RDS(on) değeri sayesinde güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, güç yönetimi devreleri, motor sürücüler, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 96W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Düşük kapı yükü (200nC @ 10V) hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric ME |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric ME |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok