Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF60B217
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF60B217
IRF60B217 Hakkında
IRF60B217, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar ve 83W maksimum güç dissipasyonuna dayanıklıdır. Through-hole montaj türü ile PCB'ye doğrudan yerleştirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 36A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok