Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5806TRPBF
MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5806
IRF5806TRPBF Hakkında
IRF5806TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (86mOhm @ 4A, 4.5V) ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 (Micro6/TSOP-6) yüzey montajlı paket formatında sunulan IRF5806, güç yönetimi, batarya şarj devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Maksimum 2W güç disipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 594 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | Micro6™(TSOP-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok