Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5805TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5805
IRF5805TRPBF Hakkında
IRF5805TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 3.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 98mOhm ile düşük RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 17nC gate charge ve 511pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon işlemleri gerçekleştirebilir. Maksimum 2W güç disipasyonuna sahip olup, kompakt tasarımı sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer kazandırır. Not: Bu ürün üretimi sona ermiş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 511 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | Micro6™(TSOP-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok