Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5805TRPBF-INF
IRF5805 - TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5805
IRF5805TRPBF-INF Hakkında
IRF5805TRPBF-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin maksimum drain akımı 3.8A, drain-source gerilimi 30V'dir. 98mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. Gate charge 17nC, input kapasitansi 511pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2W güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve gerilim regülatörü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 511 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | Micro6™(TSOP-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok