Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5805TR
MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5805
IRF5805TR Hakkında
IRF5805TR, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim derecelendirilmesi ve 3.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 98mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, batarya uygulamaları ve genel amaçlı lojik kontrolü gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yer almaktadır. 2W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 511 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | Micro6™(TSOP-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok