Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF5804TR

MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
IRF5804

IRF5804TR Hakkında

IRF5804TR, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 2.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 198mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Düşük gate charge (21nC) özelliği hızlı anahtarlama işlemlerini kolaylaştırır. Tüketici elektroniği, enerji yönetimi, güç dağıtım modülleri ve pil yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Not: Bu bileşen obsolete (üretim durdurulmuş) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package Micro6™(TSOP-6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok