Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5804
MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5804
IRF5804 Hakkında
IRF5804, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 198mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 21nC gate charge ve 680pF input capacitance özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Güç yönetimi, anahtarlamalı güç kaynakları ve gerilim kontrol devrelerinde uygulanır. Maksimum 2W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | Micro6™(TSOP-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok