Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5803
IRF5803TRPBF Hakkında
IRF5803TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 3.4A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (TSOT-23-6) paketinde sunulan bu bileşen, 112mOhm maksimum kanal direnci (RDS On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC/DC dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 37nC gate charge ve 1110pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. 2W maksimum güç tüketimi ile kompakt ve verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | Micro6™(TSOP-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok