Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5803D2PBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5803
IRF5803D2PBF Hakkında
IRF5803D2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 3.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 112mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. Isolated Schottky diyot özelliği bulunmaktadır. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 2W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok