Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5803
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5803
IRF5803 Hakkında
IRF5803, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 3.4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 (Micro6) yüzey montaj paketinde sunulan IRF5803, düşük RDS(on) değeri (112mΩ @ 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Gümrük otomasyon, LED sürücüleri, pil yönetim sistemleri ve analog anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum gate gerilimi ±20V'tur. Komponent üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | Micro6™(TSOP-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok