Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5802
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5802
IRF5802 Hakkında
IRF5802, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 900mA sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 1.2Ω maksimum RDS(on) direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 2W güç disipasyon kapasitesi ile genel amaçlı dijital kontrol devrelerinde, düşük sinyal anahtarlama uygulamalarında ve pil yönetim sistemlerinde tercih edilir. Kompakt SOT-23-6 (Micro6) paketlemesi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun, 6.8nC gate yükü ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Ürün statüsü eski/kullanımdan kalkmış olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 88 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 540mA, 10V |
| Supplier Device Package | Micro6™(TSOP-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok