Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5801TRPBF
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5801
IRF5801TRPBF Hakkında
IRF5801TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 200V N-Channel MOSFET transistördür. 600mA sürekli drain akımı ve 2.2Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, kompakt SOT-23-6 paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 10V gate sürüş voltajında optimize edilmiş bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Düşük gate yükü (3.9nC @ 10V) ve kontrollü input kapasitanesi (88pF @ 25V) ile hızlı komütasyon işlemlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 88 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 360mA, 10V |
| Supplier Device Package | Micro6™(TSOP-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok