Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5800TR
MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5800
IRF5800TR Hakkında
IRF5800TR, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4A sürekli akım kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 85mΩ on-state direnci (@4A, 10V) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenli çalışır. Maksimum 2W güç tüketimiyle batarya yönetimi, motor kontrolü, yük anahtarlaması ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | Micro6™(TSOP-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok