Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF543

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF543

IRF543 Hakkında

IRF543, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 80V Drain-Source gerilim ve 25A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100mOhm (10V, 17A'de) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında 150W güç harcıyabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. TO-220-3 paket ile Through Hole montajına uyygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok