Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF541
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF541
IRF541 Hakkında
IRF541, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 80V drain-source gerilimi ve 28A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 77mOhm on-resistance değeri ile düşük kayıp sağlayarak verimli anahtarlama işlemlerini gerçekleştirir. 10V gate drive voltajında çalışan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, güç inverteri ve DC-DC konvertör gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok