Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF532
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF532
IRF532 Hakkında
IRF532, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 230mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılabilir. TO-220-3 paket formatında üretilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç devrelerinde, motor kontrolü uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılan endüstriyel bir bileşendir. 79W maksimum güç tüketimiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 8.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok