Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF530STRRPBF

MOSFET N-CH 100V 14A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF530

IRF530STRRPBF Hakkında

IRF530STRRPBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 14A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 160mOhm on-resistance değeri sunarak düşük güç kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) paketinde temin edilen bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok