Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF530PBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF530

IRF530PBF-BE3 Hakkında

IRF530PBF-BE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, switching devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 160mOhm maksimum on-direnci ile verimli çalışma sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 88W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok