Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF530NSTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF530N

IRF530NSTRLPBF Hakkında

IRF530NSTRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 100V Vdss ve 17A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile tasarlanan IRF530N, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 90mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok