Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF530NSPBF

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRF530N

IRF530NSPBF Hakkında

IRF530NSPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 90mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-263-3 (D²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücü devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 70W maksimum ısı dağılımı kapasitesi ile güvenilir performans sunar. 4V kapı eşik gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyeleri ile uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok