Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF530NPBF

MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF530N

IRF530NPBF Hakkında

IRF530NPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun olup, endüstriyel kontrol uygulamaları, motor sürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda kullanılır. 90mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp dissipasyonu sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabilitesini korur. Gate charge karakteristiği ve giriş kapasitesi değerleri, yüksek frekans anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok