Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF530NL
MOSFET N-CH 100V 17A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF530NL
IRF530NL Hakkında
IRF530NL, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolünde, güç kaynakları ve inverter devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 90mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Gate drive gerilimi 10V olup, 4V eşik geriliminde (250µA'da) tetiklenir. 37nC gate charge ve 920pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok