Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF530N,127
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF530N
IRF530N,127 Hakkında
IRF530N,127, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 kasa tipinde üretilen bu bileşen, düşük on-resistance (110mOhm @ 9A, 10V) sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 79W güç yayılımına sahiptir. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile kontrol edilebilir. (Not: Bu ürün obsolete durumdadır.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 633 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok