Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRF530A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRF530A

IRF530A Hakkında

IRF530A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (36 nC @ 10V) ve 110mΩ on-resistance değerleri ile hızlı anahtarlama ve verimli enerji aktarımı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor denetleyicileri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok