Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5305SPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5305
IRF5305SPBF Hakkında
IRF5305SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 31A sürekli akım yeteneği ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 60mOhm'dur. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen IRF5305SPBF, batarya anahtarlaması, DC-DC konvertörleri, güç dağıtım sistemleri ve motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. 3.8W (Ta) ve 110W (Tc) güç disipasyon kapasitesi sayesinde orta güç seviyesi tasarımlara uygundur. Düşük kapı yükü (63nC @ 10V) hızlı anahtarlama işlemleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok