Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF530
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF530
IRF530 Hakkında
IRF530, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 14A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması, motor kontrol, invertör devreleri ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. 75W maksimum güç tüketimi ve 180mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate sürüş gerilimi ile TTL/CMOS mantık devreleriyle doğrudan uyumludur. Eski üretim (obsolete) komponendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok