Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5210STRRPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5210
IRF5210STRRPBF Hakkında
IRF5210STRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 38A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263-3) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 60mΩ on-direnç (RDS(on)) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli bir şekilde operate edebilir. Güç amfi uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel anahtarlama devreleri için uygundur. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 38A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok