Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRF5210
IRF5210PBF Hakkında
IRF5210PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 60mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC/DC konvertörleri ve anahtar modlu güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 200W maksimum güç dağılımına sahiptir. Gate charge 180nC ve input capacitance 2700pF değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok